超导材料具有零电阻、完全抗磁性等宏观量子效应，是一种典型的节能材料，在能源交通、国防科技、生物医疗等行业都有重要的应用，受到社会各界的广泛关注。由于超导材料的临界转变温度（Tc）普遍较低，限制了实际工况条件下的应用。提高超导材料的Tc一直是凝聚态物理和材料领域的重要核心科学问题。
过渡金属硫化物是一种备受关注的典型层状超导体。由于层间较弱的范德华相互作用，使其通过化学掺杂或层间插层等手段调控超导特性提供了可能，这为探索超导Tc的增强路径开辟了新的研究维度。
近日，yh86银河国际（北京）新能源与材料学院量子材料与探测团队邢颖教授课题组联合首都师范大学物理系王贺副教授课题组，以及北京大学物理学院国际量子材料研究中心王健教授课题组，通过自助熔剂法在2H-NbSe2中实现了InSe2插层，成功地将Tc从7.1 K提升到10.31 K，垂直临界磁场Hc2提升至三倍。此外，研究团队还系统地研究了(InSe2)xNbSe2的电输运性质。其各向同性的超导电性表明可能存在三维的电子结构，这与已知的层状超导体截然不同；霍尔数据显示(InSe2)xNbSe2为电子型载流子，而本征NbSe2则为空穴主导；研究还发现(InSe2)xNbSe2位于BCS-BEC过渡区域，这为进一步研究BCS-BEC过渡区域的奇异物理现象奠定重要基础。
该成果以“Transport properties of (InSe2)xNbSe2 with enhanced Tc and Hc2”为题发表在凝聚态物理国际著名期刊《Physical Review B》上（Phys. Rev. B,111,094517(2025)）。首都师范大学硕士生刘赫尧和yh86银河国际（北京）新能源与材料学院硕士生李元龙为共同第一作者。邢颖教授，王健教授，王贺副教授，李元龙为本文的通讯作者。yh86银河国际（北京）新能源与材料学院博士生刘逸宇和硕士生刘胜龙也参与了该项工作。
（a）2H-NbSe2单晶的ρ(T)曲线，超导起始转变温度Tconset为7.1 K。（b）(InSe2)xNbSe2单晶的ρ(T)曲线，Tconset为10.31K。
全文链接： https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.111.094517
